Фоторезисторы

Фоторезисторы — это дискретные светочувствительные резисторы, принцип действия которых основан на явлении фотопроводимости, т. е. на изменении проводимости полупроводникового материала под действием светового излучения. При воздействии на полупроводник электромагнитного излучения светового диапазона часть электронов материала приобретает энергию, достаточную для разрыва их связи с атомами. Это явление генерации свободных носителей заряда обусловливает увеличение проводимости полупроводника.

Возбужденные излучением электроны через некоторое время снова теряют избыток энергии и возвращаются в валентную зону. Среднее время пребывания электрона в роли свободного носителя заряда называют временем жизни, а процесс его возвращения на валентный уровень — рекомбинацией. При непрерывном воздействии излучения в материале устанавливается динамическое равновесие, при котором число генерируемых свободных электронов равно числу рекомбинирующих.

Фоторезисторы могут быть чувствительны к электромагнитному излучению в широком интервале длины волны (от ультрафиолетового до инфракрасного) .

Для изготовления серийных фоторезисторов в настоящее время используют главным образом два типа материалов: сернистый кадмий и селенистый кадмий. Для изготовления фоторезисторов ФСА применяют сернистый свинец.

Основные характеристики фоторезисторов — спектральная, люкс-амперная, вольт-амперная.
Спектральная характеристика отображает чувствительность фоторезистора при действии на него излучения определенной длины волны. Чувствительность зависит от свойств материала светочувствительного элемента. Сернисто-кадмиевые фоторезисторы имеют высокую чувствительность в видимой области спектра, селенисто-кад-миевые — в красной и ближней инфракрасной областях, сернисто-свинцовые — в инфракрасной области спектра.
Люкс-амперная характеристика фоторезисторов показывает зависимость светового тока, протекающего через фоторезистор, от освещенности. Полупроводниковые фоторезисторы имеют обычно нелинейные люкс-амперные характеристики.

Вольт-амперная характеристика фоторезисторов линейна в широком интервале напряжения. Линейность нарушается только при малых значениях напряжения.

Зависимость светового тока фоторезистора от изменения окружающей температуры определяется температурным коэффициентом светового тока, который выражается формулой.

TKI_CB = {{I_CB2 - I_CB1}/{I_CB1(T_2 - T_1)}}100(%/C)

где ICB1 — световой ток при окружающей температуре T1; ICB2 — световой ток при окружающей температуре Т2; T2—T1 — заданный интервал окружающей температуры.

Кратность изменения сопротивления фоторезисторов вычисляют по формуле:

K_j = I_CB / I_T

Темновой ток измеряют при Токр. ср. = +20°С, постоянном напряжении, равном Up, и полном затемнении фоторезистора, а световой — при освещенности 200±20 лк. Значение 1СВ снимают после воздействия света в течение 15 с, а I, — после выдержки фоторезистора затемненным в течение 30 с.

Светочувствительный элемент фоторезисторов обычно помещают в пластмассовый или металлический корпус. Фоторезисторы ФСА-1а, ФСК-7а, ФСК-7б, ФСК-1а, ФСД-1 а — бескорпусные, светочувствительный элемент у них защищен от воздействия внешней среды прозрачной пластмассовой пленкой. Светочувствительный элемент фоторезисторов ФСК-1а и ФСД-1а приклеивают к стеклянной подложке.

На рабочем поле фоторезистора СФ2-12 размещены три отдельных фоторезистора, соединенных с выводами 1 и 6, 2 и 5, 3 и 4 соответственно. На рабочей поверхности фоторезисторов серии ФСК-7 предусмотрены три вывода — два от концов и один от середины, что позволяет использовать эти приборы в качестве дифференциальных элементов. Подключают фоторезисторы ФСК-7 с помощью при-жимиых контактов.

Корпус фоторезисторов ФСК-1, ФСК-2, ФСК-6. ФСА-6 рассчитан на установку в стандартную октальную ламповую панель, ФСД-1 — в стандартную семиштырьковую. Для эксплуатации при повышенной влажности и в условиях тропического климата выпускают фоторезисторы герметичной конструкции ФСА-П, ФСК-П, ФСД-П, ФСА-Г2, ФСК-Г2. ФСК-Г7. Эти фоторезисторы отличаются большой надежностью и стабильностью параметров.

Полупроводниковые фоторезисторы предназначены для работы в цепях постоянного и переменного токов радиоэлектронной аппаратуры. Технические условия допускают работу фоторезисторов и в импульсном режиме, при условии непревышения десятикратной максимальной мощности рассеяния фоторезистора в импульсе, при средней мощности, не превышающей допустимого значения.

Радио №1 1987г.

Отправить комментарий

Содержание этого поля является приватным и не предназначено к показу.
  • Доступны HTML теги: <a> <em> <strong> <i> <b> <cite> <code> <ul> <ol> <li> <dl> <dt> <dd> <img> <h1> <h2> <h3> <h4> <h5> <h6> <p> <sub> <sup> <table> <tr> <th> <td>
  • Адреса страниц и электронной почты автоматически преобразуются в ссылки.
  • Строки и параграфы переносятся автоматически.
  • Freelinking helps you easily create HTML links. Links take the form of [[indicator:target|Title]]. By default (no indicator): Link to a local node by title
  • При выводе кода вы можете использовать следущие теги: <code>, <blockcode>, <asm>, <asp>, <c>, <cpp>, <delphi>, <java>, <javascript>, <matlab>, <mpasm>, <mysql>, <pascal>, <php>, <python>, <ruby>, <vb>, <z80>. Код будет выведен в отдельном блоке с использованием подсветки синтаксиса.
  • Для вывода математических формул в формате latex используйте [m]формула[/m]

Подробнее о форматировании

CAPTCHA на основе изображений
Enter the characters shown in the image.


Добавить закладку в Google