Транзисторы

Прибор для проверки транзисторов без выпайки из схемы

Прибор, схема которого изображена на рис., позволяет проверять исправность транзисторов типа п-р-п или р-п-р без выпайки из схемы в телевизорах, радиоприемниках и других радиотехнических устройствах. С помощью прибора можно быстро отыскать неисправный транзистор без нарушения печатного монтажа и лакового покрытия схемы.
Прибор для проверки транзисторов без выпайки из схемы

IGBT транзистор BUP314

Особенности:

  • Малое прямое падение напряжения
  • Высокая скорость переключения
  • Низкий остаточный ток
  • Отсутствие эффекта защелкивания
  • Нормированный лавинные параметры
  • Напряжение VCE=1200 V
  • Ток IC=52 A
  • Корпус TO-218 AB

Транзистор 2Т825, КТ825

Кремниевые меза-планарные p-n-p составные транзисторы типов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В в металло-стеклянном корпусе КТ-9 ГОСТ 18472-88 предназначенные для работы в линейных и ключевых схемах.

Транзистор 2Т808А, КТ808А

Кремниевый меза-планарный n-p-n переключающий мощный транзистор 2Т808А. Климатическое исполнение УХЛ.

Транзистор 2Т903, КТ903

Кремниевые меза-планарные n-p-n составные транзисторы типов 2Т903А, КТ903Б в металло-стеклянном корпусе предназначенные для работы схемах высокочастотных генераторов и усилителей. Масса не более 24 грамма.

BC846PN - NPN и PNP транзистор в SMD корпусе

Особенности:

  • Подходит для построения входных усилительных каскадов
  • Высокий коэффициент усиления по току
  • Низкий ток утечки
  • Два гальванически изолированных NPN/PNP транзистора в одном корпусе SMD

PN3645 - PNP транзистор общего назначения

PNP транзистор общего назначения производства фирмы Fairchild Semiconductor служит для построения усилителных каскадов и схем коммутации с током коллектора до 500 мА. Выпускается в корпусе TO-92.

IGBT транзисторы

IGBT транзисторы фирмы Infineon выполнены по NPT технологии позволяющей значительно улучшить рабочие характеристики приборов.
IGBT транзисторы выпускаются в корпусах TO-220AB, ТО-218АВ, TO-247AC. Технология EmCon фирмы Infineon позволяет интегрировать в одном корпусе транзистор и быстродействующий обратный диод.

Характеристики биполярного транзистора на высоких частотах

Частотная характеристика коэффициента усиления по току underline{beta}=underline{I}_C/underline{I}_B аналогична характеристике фильтра НЧ 1-го порядка:

underline{beta}=beta/{1-jf/f_beta}

где f_beta=omega_beta/{2pi} - граничная частота на уровне —3 дБ.
Под f_T подразумевается частота, при которой модуль коэффициента усиления уменьшается до 1 (ее чаще называют «частотой единичного усиления»). Частота единичного усиления определяется сопротивлением rВЕ и диффузионной емкостью СВЕ (рис. 1а):

Схема транзисторного каскада с общей базой (ОБ)

Усиление по напряжению

upsilon_u = beta/r_BE {R_L r_CE}/{R_L+r_CE}approx g_m R_L = U_L/U_T

Усиление по току

upsilon_i = beta/{beta+1} approx 1

Входное сопротивление

r_e = r_BE/beta(1+R_L/r_CE) approx r_BE/beta = U_T/delim{|}{I_C}{|}

Выходное сопротивление

r_a = {R_Lr_CE}/{R_L+r_CE} approx R_L

Схема транзисторного каскада с общим коллектором (ОК) (эмиттерный повторитель)

Усиление по напряжению

upsilon_u = {1/{1+R_BE/beta(1/R_E+1/r_CE)}} approx 1

Усиление по току

upsilon_i = {{beta+1}/{1+R_E/r_CE}}approx beta

Входное сопротивление

r_e = r_BE+beta overline{R}_E approx  r_BE+beta R_E

Выходное сопротивление

r_a = {overline{R_E}(R_G+r_BE)}/{beta overline{R_E}+R_G+r_BE} approx R_E vert {r_BE+R_G}/beta , overline{R_E} = R_E vert r_BE

Схема транзисторного каскада с общим эмиттером (ОЭ)

Усиление по напряжению

upsilon_u = {{-beta R_L}/{r_BE+R_L{r_BE/r_CE}}}approx -g_m R_L = -{delim{|}{U_L}{|}/U_T}

Усиление по току

upsilon_i = beta{1/{1+R_L/R_CE}} approx beta

Входное сопротивление

r_e = r_BE approx beta/g_m = beta{U_T/delim{|}{I_C}{|}}

Выходное сопротивление

r_a = {R_L/{1+R_L/r_CE}} approx R_L

Усиление по напряжению vu пропорционально падению постоянного напряжения UL на сопротивлении, а не самому сопротивлению RL.

Режим малого сигнала биполярного транзистора на низких частотах

Для анализа свойств транзисторов при передаче малых сигналов их нелинейные характеристики аппроксимируются линейными участками касательной в рабочей точке, т.е. транзистор принимается за линейный элемент. Эквивалентная схема замещения транзистора при этом справедлива лишь для случаев, когда напряжение сигнала изменяется относительно рабочей точки (постоянного тока) в небольших пределах. Эквивалентная схема замещения транзистора при передаче малых сигналов низких частот (примерно до половины граничной частоты единичного усиления) приведена на рис. 1а.

Выбор рабочей точки биполярного транзистора

Для выбора рабочей точки используют большую крутизну характеристики перехода база-эмиттер. В первом приближении можно считать напряжение UBE постоянным и не зависящим от частоты UBE = Uпот (Uпот — 0,65 В-для кремниевых транзисторов и 0,3 В-для германиевых). Принимается также, что ток коллектора IC не зависит от напряжения перехода коллектор-эмиттер UCE. Напряжение на базе UB устанавливается с помощью низкоомного делителя напряжения.

Режим сильного сигнала биполярного транзистора

Эквивалентная схема замещения биполярного транзистора по Эберсу-Моллю приведена на рис. 1. В режиме больших токов следует предусмотреть дополнительные сопротивления RB' RE' RC в выводах базы, эмиттера и коллектора. В таком виде модель справедлива для стационарного режима, т. е. при работе транзистора на низких и средних частотах, когда всевозможными частотнозависимыми эффектами пренебрегают.

Биполярный транзистор

Биполярный транзистор представляет собой один из основных элементов современных усилителей. Ток в транзисторе создается переносом носителей зарядов в зоне базы и управляется приложенным к базе напряжением. По типу материала полупроводникового кристалла различают германиевые, арсенид-галлиевые и кремниевые транзисторы. Последние распространены наиболее широко. По типу примеси зон кристалла различают транзисторы типа npn и pnp.

Справочное руководство по звуковой схемотехнике
П. Шкритек пер. И. Д. Гурвица

Синдикация материалов

Добавить закладку в Google