IGBT
IGBT транзистор BUP314
Опубликовано Rico в 2 Январь, 2010 - 16:37Особенности:
- Малое прямое падение напряжения
- Высокая скорость переключения
- Низкий остаточный ток
- Отсутствие эффекта защелкивания
- Нормированный лавинные параметры
- Напряжение VCE=1200 V
- Ток IC=52 A
- Корпус TO-218 AB
