Звукотехника

Двухканальный аудиоусилитель Panasonic - AN7169 - 5.8 W

AN7169 - двухканальный усилитель мощности 5.8W, с высокой стабильностью при эксплуатации, низким уровнем шумов и низкой мощностью рассеивания. Компактный корпус 12-pi SIL с высокой степенью интеграции, и небольшим количеством внешних элементов. Защита от перегрева, короткого замыкания и перенапряжения.
Особенности:

  • Высокая стабильность при эксплуатации
  • Низкий уровень искажений
  • Низкий рабочиий ток
  • Низкий уровень шумов
  • Малые помехи при включении-выключении
  • Режим muting
  • Минимальное количество внешних компонентов
  • Защита от перегрева, короткого замыкания и перенапряжения

TDA7384A - Четырехканальный (4 x 35W) аудиоусилитель

TDA7384A представляет собой четырехканальный усилитель мощности ЗЧ, работающий в режиме AB, с максимальной выходной мощностью до 4x40 Вт при нагрузке 4 Ом. Выпускается в пластмассовом корпусе Flexiwatt 25. Для построения четырехканального усилителя требуется минимум внешних элементов, а благодаря построению выходных ступеней усилителя по мостовой схеме нет необходимости в разделительных конденсаторах. В усилителе реализована функция бесшумного выключения выходного сигнала ("Mute") и переход в ждущий режим ("Stand-By").

Методика расчета активных фильтров на повторителях

Фильтры Баттерворта обеспечивают максимальную равномерность АЧХ, а фильтры Басселя - линейную фазовую характеристику. Поскольку коэффициенты Басселя для фильтров вторго порядка весьма близки, в промышленных и любительских конструкциях нередко используют равнокомпонентные фильтры. Они более технологичны, но их АЧХ имеет неравномерность в районе частоты среза. В качестве усилительных элементов можно использовать любые ОУ, включенные повторителями и скоректированными для единичного усиления. Приоднополярном питании необходимо обеспечить режим ОУ по постоянному току Uпит/2. Возможно также использование эмиттерных и истоковых повторителей.

Электронный коммутатор сигналов TDA1029

Схема выполнена на интегральной микросхеме TDA1029, представляющей собой электронный переключатель, который коммутирует четыре стереовхода и один стереовыход. Принципиальная схема модуля приведена на рис.1. Модуль имеет пять стереовходов и один выход. Сигналы, подаваемые на вход IN1, поступают непосредственно на вход микросхемы, что обеспечивает возможность использовать ее полный частотный диапазон, превышающий 1 МГц.

Индикатор выходного сигнала KA2281

В основе устройства - интегральная микросхема фирмы Samsung KA2281 (двухканальный пятиразрядный усилитель индикации с логарифмической шкалой). Отличается данное включение микросхемы от типового, только введением дополнительных светодиодов D11 и D12, которые загораются сразу при включении устройства и индицируют готовность к работе.

Интегральные микросхемы для радиоприемного тракта серия К171

Серия К171 представляет собой комплект ИМС, предназначенных для аппаратуры радиосвязи и радиоэлектронной техники. Микросхемы

Интегральные микросхемы для радиоприемного тракта серия К157

Серия К157 представляет собой функционально сопряженные между собой ИМС, предназначенные для построения функциональных узлов радиовещательных приемников и магнитол. Микросхемы выполнены на биполярных транзисторах с изоляцией р-п переходом.Состав серииК157ХА1А,Б - усилитель высокой частоты с преобразователем К157ХА2 - усилитель промежуточной частоты с автоматической регулировкой усиления Микросхемы выпускаются в прямоугольных полимерных корпусах 201.14 -1 с перпендикулярным расположением выводов.

Схема транзисторного каскада с общей базой (ОБ)

Усиление по напряжению

upsilon_u = beta/r_BE {R_L r_CE}/{R_L+r_CE}approx g_m R_L = U_L/U_T

Усиление по току

upsilon_i = beta/{beta+1} approx 1

Входное сопротивление

r_e = r_BE/beta(1+R_L/r_CE) approx r_BE/beta = U_T/delim{|}{I_C}{|}

Выходное сопротивление

r_a = {R_Lr_CE}/{R_L+r_CE} approx R_L

Схема транзисторного каскада с общим коллектором (ОК) (эмиттерный повторитель)

Усиление по напряжению

upsilon_u = {1/{1+R_BE/beta(1/R_E+1/r_CE)}} approx 1

Усиление по току

upsilon_i = {{beta+1}/{1+R_E/r_CE}}approx beta

Входное сопротивление

r_e = r_BE+beta overline{R}_E approx  r_BE+beta R_E

Выходное сопротивление

r_a = {overline{R_E}(R_G+r_BE)}/{beta overline{R_E}+R_G+r_BE} approx R_E vert {r_BE+R_G}/beta , overline{R_E} = R_E vert r_BE

Схема транзисторного каскада с общим эмиттером (ОЭ)

Усиление по напряжению

upsilon_u = {{-beta R_L}/{r_BE+R_L{r_BE/r_CE}}}approx -g_m R_L = -{delim{|}{U_L}{|}/U_T}

Усиление по току

upsilon_i = beta{1/{1+R_L/R_CE}} approx beta

Входное сопротивление

r_e = r_BE approx beta/g_m = beta{U_T/delim{|}{I_C}{|}}

Выходное сопротивление

r_a = {R_L/{1+R_L/r_CE}} approx R_L

Усиление по напряжению vu пропорционально падению постоянного напряжения UL на сопротивлении, а не самому сопротивлению RL.

Режим малого сигнала биполярного транзистора на низких частотах

Для анализа свойств транзисторов при передаче малых сигналов их нелинейные характеристики аппроксимируются линейными участками касательной в рабочей точке, т.е. транзистор принимается за линейный элемент. Эквивалентная схема замещения транзистора при этом справедлива лишь для случаев, когда напряжение сигнала изменяется относительно рабочей точки (постоянного тока) в небольших пределах. Эквивалентная схема замещения транзистора при передаче малых сигналов низких частот (примерно до половины граничной частоты единичного усиления) приведена на рис. 1а.

Выбор рабочей точки биполярного транзистора

Для выбора рабочей точки используют большую крутизну характеристики перехода база-эмиттер. В первом приближении можно считать напряжение UBE постоянным и не зависящим от частоты UBE = Uпот (Uпот — 0,65 В-для кремниевых транзисторов и 0,3 В-для германиевых). Принимается также, что ток коллектора IC не зависит от напряжения перехода коллектор-эмиттер UCE. Напряжение на базе UB устанавливается с помощью низкоомного делителя напряжения.

Режим сильного сигнала биполярного транзистора

Эквивалентная схема замещения биполярного транзистора по Эберсу-Моллю приведена на рис. 1. В режиме больших токов следует предусмотреть дополнительные сопротивления RB' RE' RC в выводах базы, эмиттера и коллектора. В таком виде модель справедлива для стационарного режима, т. е. при работе транзистора на низких и средних частотах, когда всевозможными частотнозависимыми эффектами пренебрегают.

Биполярный транзистор

Биполярный транзистор представляет собой один из основных элементов современных усилителей. Ток в транзисторе создается переносом носителей зарядов в зоне базы и управляется приложенным к базе напряжением. По типу материала полупроводникового кристалла различают германиевые, арсенид-галлиевые и кремниевые транзисторы. Последние распространены наиболее широко. По типу примеси зон кристалла различают транзисторы типа npn и pnp.

Справочное руководство по звуковой схемотехнике
П. Шкритек пер. И. Д. Гурвица

Искажения в конденсаторах

Критичными в отношении нелинейных искажений являются такие конденсаторы, емкость которых изменяется с изменением приложенного напряжения. К ним относятся прежде всего полярные электролитические конденсаторы, работающие с напряжением смещения. Искажения в танталовых конденсаторах при недостаточном смещении достигают 1 %. Существуют электролитические конденсаторы с обкладками из алюминиевой фольги и твердым электролитом. В них искажения составляют примерно 0,01%.

Искажения в резисторах

Углеродистые резисторы обладают свойством детектирования. Возникающие в них нелинейные искажения не превышают 0,1%, но увеличиваются с нагрузкой. Свойства металлизированных тонкопленочных резисторов в этом отношении более благоприятны.

Справочное руководство по звуковой схемотехнике
П. Шкритек пер. И. Д. Гурвица

Синдикация материалов

Добавить закладку в Google